语音芯片的制造技术1之下一代光刻技术

发布日期：2015-03-19

光刻是语音芯片制造的关键技术。集成电路的更新换代有赖于光刻技术的发展，对每一代集成电路技术都要研发一代特定的光刻技术。探究下一代光刻技术是什么，是当前工作的重点之一。长期以来采用的光刻方法随着特征尺寸减小到100nm以下将逐步退出历史舞台。
目前光学光刻方法已从接触－接近式、反射投影式、步进投影式发展到步进扫描投影式，光源波长已从436nm和365nm(汞弧灯)缩短到248nm(KrF准分子激光源)。通过对光源、透镜系统、精密对准、光刻胶以及相移掩模（PSM）技术等方面长期深入的研究工作，光学光刻方法取得了令人难以置信的进展，可以突破通常的物理限制在芯片上印制出特征尺寸比光源波长更小的图形。去年投入生产的180nm技术采用了波长248nm的步进扫描投影光刻技术。对特征尺寸130nm的光刻技术将仍然用光学方法，目前正在开发两种技术，一种是采用波长248nm加PSM技术，别一种是采用波长193nm（ArF准分子激光源）的光刻技术。
然而，一般认为，利用光学光刻方法印制微细图形已接近极限。在50nm及其以下，光学光刻方法将被其他新技术所取代。目前正在开发的技术有电子投影光刻技术（EPL）、离子投影光刻技术（IPL）、X－射线光刻技术、电子束直写光刻技术（EBDW）以及超紫外（EUV）光刻技术等。至于对特征尺寸在100nm～70nm范围内则尚无定论，一般认为光学光刻方法仍将与上述新技术相竞争。

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